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電力半導體模塊和組件
  模塊和組件是由單個元件組合起來的使用單元,可結成并聯、串聯、反并聯及共陰、共陽、單相橋、三相橋等形式,近年來在國內發展較快,使用戶多,可根據用戶需要進行生產。該產品符合JB/T7826.1-1995。
整流管模塊特性值
 
型號 正向平均電流IF(AV) 正向反均根電流IT(A) 正向峰值電壓(V) 反向重復峰值電壓(V) 反向重復峰值電流(A) 額定結溫 結殼熱阻 底板絕緣電壓(V) 重量
MTC

MDA

MDK

25A 25 40 ≤1.4 500~2500 ≤5 -40~+150 ≤1.1 ≤2500 160
55A 55 90 ≤0.51 160
110A 110 170 ≤0.28 160
200A 200 320 ≤1.6 ≤8 ≤0.11 845
450A 450 720 ≤10 ≤0.04 1440

晶閘管模塊特性值
 
型號 通態平均電流IT(AV) 通態方均根電流IT(A) 通態峰值電壓VTM(V) 斷態峰值電壓VRRm(V) 通態重復峰值電流IRRm(mA) 門極觸發電流(mA) 門極觸發電壓(V) 維持電流(mA) 斷態電壓臨界上升率 額定結溫TJ℃ 結殼熱阻℃/W 底板絕緣電壓(V) 重量(g)
MTC

MTA

MTK

MTX

25A 25 40 ≤1.5 600~2500 ≤5 20~150 0.5~2.5 20~150 ≥2500 -40~+125 ≤1.10 ≤2500 160
55A 55 90 ≤0.51 160
110A 110 176 ≤1.8 ≤10 ≤0.28 160
160A 160 250 ≤10 ≤0.015 370
200A 200 320 ≤2.0 ≤15 ≤0.11 845
450A 450 720 ≤20 ≤0.04 1440

單相、三相橋組特性值
 
型號 正向平均電流IF
(AV)
正向方均根電流IT(A) 正向峰值電壓
(V)
反向重復值電壓
(V)
反向重復峰值電流(mA) 額定結溫Tj℃ 結殼熱阻℃/W 底板絕緣電壓
(V)
重量(g)
MDQ 40A 40 64 ≤1.2 500~2500 ≤3 -40~+150 ≤0.2 ≤2500 380
60A 60 96 380
80A 80 128 400
100A 100 160 400
MDS 40A 40 64 ≤0.15 450
60A 60 96 450
80A 80 128 475
100A 100 160 475

混合橋組特性值
 
型號 通態平均電流IT(AV) 通態峰值電壓VTM(V) 通態重復峰值電壓(V) 斷態重復峰值電流IRR(V) 門極觸發電流(mA) 門極觸發電壓(V) 維持電流(mA) 斷態電壓臨界上升率 額定結溫TJ℃ 結殼熱阻℃/W 底板絕緣電壓
(V)
重量(g)
MFQ 40A 40 ≤1.6 500~2500 ≤5 20~120 0.5~2 20~120 ≥200 -40~+125 ≤0.51 ≤2500 200
60A 60 ≤1.6 ≤5 ≤0.31 200
80A 80 ≤1.6 ≤8 ≤0.28 380
100A 100 ≤1.8 ≤8 ≤0.17 380

                                        

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